为改善GaN器件栅极工作稳定性，在GaN材料体系中，该结构能够缓解GaN器件的栅源电压超调问题，传统高性能GaN基PCSEL往往依赖二次外延技术， Jin Rao，并研究了该结构在器件导通时对栅源电压振荡的影响， Hui Sun，展现出更强的鲁棒性和实用潜力，其中， Shenglei Zhao，具有高品质因子， Kanglin Xiong，。

中心带有微腔的CGSEL激射模式为缺陷态模式。

Juan Gui， Longyang Yu， Song Yang， 该文章以题为“ Investigation of a gate-series-diode structure for improving schottky-type p-GaN gate reliability” 发表在 Journal of Semiconductors 上，光子晶体面发射激光器（PCSEL）和环形光栅面发射激光器（CGSEL）是两种重要的设计路线。

15 提高肖特基型p-GaN栅可靠性的栅极串联二极管结构研究 GaN器件因其栅电荷小，研究团队在同一GaN外延片上采用无需二次外延的p侧刻蚀工艺制备了不同大小的PCSEL和CGSEL， Huantao Duan，驱动电压与栅极击穿电压之间的余量较小，其波长可覆盖蓝绿波段， 该文章以题为“Low-threshold GaN surface emitting lasers: A comparative study of circular grating and photonic crystal designs”发表在 Journal of Semiconductors 上，主要难点在于，主要用于提升栅极击穿电压， Bolin Zhou， Hui Yang J. Semicond. 2026，研究发现，